集电极漏电流ICBO VCB=60V,IE=0 100 nA
发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA
集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 50 V
发射极、基极击穿电压BVEBO IE=10μA,IC=0 5 V
集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 60 V
集电极、发射极饱和压降VCE(sat)
IC=100mA,IB=10mA 0.25 V
基极、发射极饱和压降VBE(sat)
IC=100mA,IB=10mA 1.0 V
直流电流增益HFE1 VCE=6V,IC=2mA 120 700
HFE2 VCE=6V,IC=150mA 25
参数符号标称值单位
集电极、基极击穿电压VCBO 60 V
集电极、发射极击穿电压VCEO 50 V
发射极、基极击穿电压VEBO 5 V
集电极电流IC 150 mA
集电极功率PC 625 mW
结温TJ 150 ℃
贮存温TSTG -55-150 ℃
6发射
△电参数（Ta=25℃）
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